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STB9NB50中文资料

  • 大小：93.57KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE Power MESH MOSFET
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：500 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 30 V
  • 漏极连续电流：8.6 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.85 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：D2PAK
  • 封装：Tube
  • 下降时间：11 ns
  • 最小工作温度：- 60 C
  • 功率耗散：125 W
  • 上升时间：11 ns
  • 工厂包装数量：50

STB9NB50供应商

更新时间:2022-12-31 15:50:24
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